FET de Potencia RA33H1516M1-325 / Para IC-M506 / Transistor de Efecto de Campo / 325V / 15A / Montaje Superficial
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SKU: 115-0002-510 Categoría: Etiquetas: , ,

Descripción

El FET de Potencia RA33H1516M1-325 es un transistor de efecto de campo de alta potencia diseñado específicamente como componente de repuesto para el equipo de comunicaciones marítimas IC-M506. Este dispositivo semiconductor ofrece excelente rendimiento en aplicaciones de conmutación de potencia, proporcionando alta eficiencia y confiabilidad en sistemas de radio marítima.

Características Principales

  • Componente de repuesto específico para equipos IC-M506 de comunicaciones marítimas
  • Transistor de efecto de campo (FET) de alta potencia
  • Corriente máxima de 15A para manejo de cargas significativas
  • Tecnología de montaje superficial para integración en PCB
  • Diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia en equipos de radio
  • Alta eficiencia y bajo consumo de potencia
  • Compatibilidad total con el circuito original del IC-M506

Detalles Técnicos

Especificaciones
  • Tensión drenaje-fuente (Vds): 325V
  • Corriente de drenaje continua (Id): 15A
  • Tipo de encapsulado: Montaje superficial (SMD)
  • Tensión umbral puerta-fuente: Específica del modelo
  • Resistencia térmica: Optimizada para disipación
  • Temperatura de operación: -55°C a +150°C
  • Material del semiconductor: Silicio

Interfaces y Conectividad
  • Terminales: 3 pines (Drenaje, Fuente, Puerta)
  • Compatibilidad eléctrica: Con circuitos IC-M506
  • Diseño para soldadura: Superficial en PCB
  • Patrón de pines: Estándar para montaje SMD
  • Compatibilidad: Con procesos de soldadura por reflujo

Aplicaciones y Casos de Uso

Equipos de Comunicación Marítima

Componente de repuesto para radios marítimas IC-M506

Sistemas de Potencia RF

Etapas finales de amplificación en equipos de radio

Mantenimiento y Reparación

Reemplazo de componentes en equipos de comunicaciones

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Información adicional

Peso 0.01 kg

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