Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .

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Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .

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SKU: 2SC-3320 Categoría: Misceláneo Etiquetas: Misceláneo, Refacciones, SYSCOM PARTS

Descripción

Características Principales

Transistor NPN de silicio para alta potencia
Voltaje de colector a base hasta 500 V
Corriente máxima de 15 A
Capacidad de disipación hasta 80 Watt
Empaque TO-3PN para alta confiabilidad

Aplicaciones

Reguladores de Switcheo
Generadores Ultrasónicos
Inversores de Alta Frecuencia
Amplificadores de Potencia de Uso General

Características Eléctricas

V_CBO: 500 V (Colector-Base)
V_CEO: 400 V (Colector-Emisor)
V_EBO: 7 V (Emisor-Base)
I_C: 15 A (Corriente de Colector)
P_C: 80 W (Disipación de Potencia)

Especificaciones Técnicas

Tensión de ruptura V_(BR)CEO: 400 V
Tensión de ruptura V_(BR)CBO: 500 V
V_CEsat: 1.0 V (I_C=6A, I_B=1.2A)
V_BEsat: 1.5 V (I_C=6A, I_B=1.2A)
Corriente de fuga I_CBO: 1.0 mA (V_CB=500V, I_E=0)

Características Térmicas

R_th(j-c): 1.56 °C/W (Resistencia térmica)
T_j: 150 °C (Temperatura de unión)
T_stg: -65~150 °C (Almacenamiento)

Conexiones (TO-3PN)

Pin 1: Base
Pin 2: Colector (conectado a base de montaje)
Pin 3: Emisor

Tiempo de Conmutación

t_on: 0.5 µs
t_s: 1.5 µs (I_B2=-3A, R_L=20Ω)
t_f: 0.15 µs

Ganancia de Corriente

h_FE: 10 (I_C=6A, V_CE=5V)

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Información adicional

Peso	0.01 kg

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